metric

Fujitsu Semiconductor массово производит SPI ReRAM самой большой ёмкости в мире

reram

reram
Компания Fujitsu Semiconductor Limited приступила к массовому производству микросхем памяти ReRAM* (Resistive random access memory) с интерфейсом SPI ёмкостью 4Мбит – рекордной для компонентов такого класса. Это первый продукт ReRAM, разработанный совместно с Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.

Новые микросхемы, получившие наименование MB85AS4MT, отличаются широким диапазоном напряжения питания – 1,65..3,6 В – и чрезвычайно малым средним током 0,2 мА (в операциях чтения при максимальной рабочей частоте 5 МГц), демонстрируя самое низкое энергопотребление среди всех типов энергонезависимой памяти. Данные микросхемы оптимальны для носимых устройств с батарейным питанием и медицинских устройств (напр. слуховые аппараты), где требуются электронные компоненты, обеспечивающие высокую плотность монтажа и низкую потребляемую мощность, а также для счётчиков энергоресурсов, датчиков, и прочих устройств IoT.

 

До сих пор для задач, где требовалась большая производительность, чем может обеспечить обычная энергонезависимая память (EEPROM и последовательная флеш-память), Fujitsu Semiconductor предоставляла продукты FRAM с высокой долговечностью и низким энергопотреблением. Дополнив свою линейку памятью типа ReRAM, Fujitsu Semiconductor теперь может удовлетворить более разнообразные потребности своих клиентов.

MB85AS4MT поставляется в корпусах 209mil SOP-8 (small outline package), повыводно совместимых с аналогичными микросхемами энергонезависимой памяти с последовательным интерфейсом SPI.

Основные характеристики:

  • Партномер для заказа: MB85AS4MTPF-G-BCERE1
  • Объём памяти (конфигурация): 4 Mbit (512K words x 8 bits)
  • Интерфейс: SPI (mode 0; mode 3)
  • Напряжение питания: 1.65..3.6В
  • Энергопотребление:
    • Ток при операции чтения: 0.2мА @ 5MHz;
    • Ток при операции записи: 1.3мА;
    • Ток в режиме ожидания (standby): 10µA;
    • Ток в пассивном режиме (sleep): 2µA
  • Гарантированное кол-во циклов записи: 1 200 000
  • Гарантированное кол-во циклов чтения: ∞
  • Длительность цикла записи (256 byte page): 16мс (при 100% инверсии состояния ячеек памяти)
  • Длительность хранения данных: 10 лет (при температуре окружающей среды до +85°C)
  • Рабочий диапазон температуры окружающей среды: -40°C..+85°C

С экономической точки зрения, ReRAM является золотой серединой между дорогой FRAM и малоёмкой, энергозатратной и относительно бюджетной EEPROM.

* ReRAM – тип энергонезависимой памяти, в которой для хранения «нулей» и «единиц» используется эффект существенного изменения сопротивления тонких плёнок оксида тантала при приложении к ним импульсного напряжения, по сути превращая их из диэлектрика в проводник и обратно.

Fujitsu Semiconductor массово производит SPI ReRAM самой большой ёмкости в мире

Fujitsu Semiconductor массово производит SPI ReRAM самой большой ёмкости в мире

Компания Fujitsu Semiconductor Limited приступила к массовому производству микро...

Новая серия изолированных DC/DC преобразователей FDK Tomodachi форм-фактора "1/16 Brick"

Новая серия изолированных DC/DC преобразователей FDK Tomodachi форм-фактора "1/16 Brick"

Серия Tomodachi являются лучшим выбором для сетевых продуктов, серверов и устрой...

Керамические термисторы с функцией самовосстанавливающегося предохранителя

Керамические термисторы с функцией самовосстанавливающегося предохранителя

Компания Murata анонсировала серию керамических PTC термисторов «PRG», разработа...

Lantronix xPort по старой цене!

Lantronix xPort по старой цене!

На склад компании АЛКОН поступила новая партия девайс-серверов xPort XE (XP10...

АЛКОН Санкт-Петербург

198320, Санкт-Петербург, ул. Геологическая 79А
тел.: (812) 449-49-94
факс: (812) 749-43-41

для абонентов Москвы:
тел./факс: (499) 507-2344

e-mail: mail55@alkon.net
посмотреть карту

Back to top