metric

Память FRAM — энергонезависимая сегнетоэлектрическая память, похожая по структуре на оперативную память DRAM, в которой вместо обычного конденсатора используется конденсатор с сегнетоэлектрическим диэлектриком.

Сегнетоэлектрические материалы способны создавать внутри себя пространственное разделение положительных и отрицательных зарядов под воздействием внешнего электрического поля, а затем сохранять это разделение после исчезновения внешнего поля. Этот эффект и делает FRAM одним из видов постоянных запоминающих устройств, наряду с FLASH-памятью и EEPROM.

При этом простая структура ячейки памяти FRAM (один транзистор и один конденсатор), схожая со структурой ячеек оперативной памяти и сегнетоэлектрический слой дают ей целый ряд важных преимуществ по сравнению с энергонезависимой памятью других типов:

  • Высокое быстродействие и простой алгоритм обращения, характерные для асинхронной статической памяти (нет секторов и буферных страниц, отсутствует необходимость в предварительном стирании и задержке перед записью информации, что свойственно для FLASH и EEPROM);
  • Энергонезависимость, как у  FLASH и EEPROM (не нужны резервные аккумуляторы или конденсаторы);
  • Очень низкое энергопотребление, которое одинаково в режимах чтения и записи;
  • Устойчивость к радиации и электромагнитным помехам;
  • Практически неограниченное количество циклов перезаписи (10 триллионов);
  • Микросхемы памяти со встроенными последовательными интерфейсами SPI или I²C и корпусами SOP-8 позволяют напрямую заменять стандартные микросхемы памяти EEPROM.

Этот тип памяти может использоваться в приложениях где требуется обеспечить гарантированное хранение и быструю запись важной информации в чрезвычайных ситуациях, а также там, где информация очень часто перезаписывается. Например в, приборах учета расхода энергоресурсов (электроэнергии, газа, воды и тепла), автоэлектронике, промышленных контроллерах, системах сбора данных, кассовых аппаратах,  медицинском, игровом и торговом оборудовании.

Компания Fujitsu Semiconductor является основоположником создания технологического процесса массового производства памяти FRAM, и, на сегодняшний момент, единственным лидером по ее производству и продажам. С 1999 года и в настоящий момент в мире работает свыше двух миллиардов устройств с память FRAM Fujitsu Semiconductor, причем за это время не поступало ни одной жалобы, и не было возврата ни одной микросхемы памяти.

Линейка микросхем памяти FRAM производства Fujitsu Semiconductor представлена в таблице:

FRAM
I²C SPI Параллельная

MB85RC04V

(3,3В/5В - 4кбит)

MB85RS16

(3,3В - 16кбит)

MB85R256F

(3,3В - 256кбит)

MB85RC16V

(3,3В/5В - 16кбит)

MB85RS64V

(3,3В/5В - 64кбит)

MB85R1002A

(3,3В - 64K x 16бит)

MB85RC16

(3,3В - 16кбит)

MB85RS64

(3,3В - 64кбит)

MB85R1001A

(3,3В - 128К x 8бит)

MB85RC64V

(3,3В/5В - 64кбит)

MB85RS128B

(3,3В - 128кбит)

MB85R4002A

(3,3В - 256К x 16бит)

MB85RC64

(3,3В - 64кбит)

MB85RS256B

(3,3В - 256кбит)

MB85R4001A

(3,3В - 512К x 8бит)

MB85RC128

(3,3В - 128кбит)

MB85RS1MT

(от 1,8B/3,3В - 1024кбит)

-
 

АЛКОН Санкт-Петербург

198320, Санкт-Петербург, ул. Геологическая 79А
тел.: (812) 449-49-94
факс: (812) 749-43-41

для абонентов Москвы:
тел./факс: (499) 507-2344

e-mail: mail55@alkon.net
посмотреть карту

Back to top