Этот новый тип памяти обеспечивает высокую скорость передачи данных — до 54 Мбит в секунду при максимальной рабочей частоте 108 МГц в условиях высоких температур до 105 °C.

Благодаря высокой скорости работы и энергонезависимости продукт идеально подходит для высокопроизводительных вычислений (HPC), центров обработки данных и промышленных вычислений, таких как программируемые логические контроллеры (ПЛК), человеко-машинный интерфейс (HMI) и RAID-контроллеры.

MB85RQ8MLX представляет собой энергонезависимую память с объёмом 8 Мбит и работает при низком напряжении питания от 1,7 В до 1,95 В. Новый интерфейс Quad SPI обеспечивает скорость чтения / записи данных 54 Мбит / с благодаря четырем выводам ввода-вывода и рабочей частоте 108 МГц. Это более чем в 8 раз быстрее, чем другой интерфейс SPI FROM, работающий на частоте 50 МГц, который передает данные со скоростью 6,25 Мбит / с.

В промышленных вычислениях электронные компоненты должны гарантированно работать в условиях высоких температур, поскольку температура окружающей среды в вычислительных блоках повышается из-за высокоскоростной обработки данных. Эта новая FRAM-память расширила верхний предел диапазона рабочих температур с 85 ° C для обычных продуктов до 105 ° C, чтобы удовлетворить критические требования при промышленном использовании. В дополнение к этому MB85RQ8MLX, в стадии разработки находится другой продукт — 8 Мбитная Quad SPI FRAM, которая работает при напряжении питания от 2,7 В до 3,6 В.

Новая FRAM-память, MB85RQ8MLX, не нуждается в батарее для резервного копирования данных и обеспечивает клиентам, использующим SRAM с низким энергопотреблением в качестве буфера, преимущество в вычислительных затратах за счет отказа от батареи.

Кроме того, FRAM — это продукт энергонезависимой памяти с превосходными характеристиками высокой скорости записи, высокой стойкостью при чтении / записи и низким энергопотреблением по сравнению с обычной энергонезависимой памятью, такой как флэш-память и EEPROM. Продукты FRAM могут решить следующие проблемы, возникающие при использовании флэш-памяти, EEPROM или SRAM с низким энергопотреблением.